山东圣阳蓄电池SP12-18生产厂家

公司宗旨是：对产品负责、对客户负责、对消费者负责、诚信服务是的服务宗旨。公司自成立以来，一直保持着强劲、稳健的发展势头，凭借其高效、安全的产品，真诚、踏实的精神，优质的终端服务和良好的商业信誉，在激烈的市场竞争中得到迅速的发展壮大。面对新的机遇和挑战，遵循现代企业的发展思路，加快自身的发展步伐，努力开发新的营养保健产品，不断为广大消费者提供优质高效的产品。愿我们携起手来，共同开拓销售市场，为全人类的营养健康服务 !规格齐全，价格低廉，税后服务，免维护，用户至上，信誉第一，质量第一，竭诚服务。以高效率的工作方式及良好的商业道德认真对待每一位客户，真正让每一位客户无任何后顾之忧。

服务理念：

使命：用户是庆讯达的良师益友，通过为用户提供完善的服务 , 让用户通过我们的服务享受到信息化的便捷、高效、实用 。 

责任：以国际标准衡量服务水平，保证每项服务完美无缺，达到甚至超过客户期望 ; 

创新：跟踪行业发展 , 结合实际情况不断推出新的符合用户利益的有效方案使用户利益达到较大化 。

合作：紧密联系用户 , 根据用户需求作出完善的解决方案 , 使我们的服务让用户体会到满意的享受、意外的惊喜、温馨的关怀 。

我公司会依据客户状况进行恰当的操练和守时技能交流：树立我公司和用户的直接技能交流准则。剖析用户高发缺陷及运用难点，提出有关于性地处置方案。工业电池的维护一、每天的维护　　1、蓄电池应在每次放电后，当即进行充电。　　2、每次的放电，不可逾越电池总容量的80%。二、每周的维护　　1、查看电池单元之间的电缆螺丝能否固定。　　2、若是电池没有装备主动加液体系，在充电后，要查看电解液的高度，低于容许液位时，要增加合格的蒸馏水到规则的高度，电解液过多时，要抽出至规则的高度。　　3、查看电池箱内有无积水，发现积水须当即吸干。三、每月的维护　　1、在充电完毕前，查看悉数电极单元以及蓄电池的电压，并作记载。　　2、充电完毕后，应丈量每个电池单元的电解液密度和温度，并作记载，若是与早年的丈量值有很大的差异时，应请专业人员加以查看。四、每年的维护　　1、蓄电池每年由专业人员查看一次叉车的绝缘电阻和蓄电池的绝缘电阻。蓄电池的绝缘电阻规则值为50欧姆/伏。对整个电池（电压可抵达220伏）的电阻至少1000欧姆。 　　2、对充电机按阐明书进行一次查看，保证各项功用正常。五、 通常注意事项1、蓄电池应坚持洁净，单调，可防止匍匐电流的发生。

2、电池箱如有液体，有必要当即用吸管吸出。

3、如发现蓄电池的表里油漆有损坏，应当即修补，维护外箱绝缘和不受腐蚀。 

4、如发现电池单元需求交流，应由专业人员进行。

六、蓄电池的寄存

1、蓄电池应寄存在单调，无霜的当地。

2、若是要使电池随时可投入运用，应按如下几点处置：每月进行一次赔偿充电，充电电压为均匀每个电池单元2.23伏。

请注意，寄存时辰太长会影响电池整体寿数。

圣阳牌GFM-C系列电池采用较新的AGM阀控技术、高纯度原辅材料以及多项自主专利技术，具有较长的浮充和循环寿命，具有高能量比、低自放电率以及良好的耐高低温性能。产品满足国内及国际标准，是无线和固定通信备用设备较理想、较可靠的选择，同时可以广泛的应用在数据、电视信号传输以及EPS/UPS等领域。

产品特征 

1. 容量范围：80Ah—3000Ah； 

2. 电压等级：2V、6V、12V； 

3. 设计寿命长：2V系列电池设计浮充寿命达15年以上，6V、12V为10年； 

4. 自放电小：≤1%（每月）； 

5. 密封反应效率高：≥99%； 

6. 结构紧凑，比能量高； 

7. 工作温度范围宽：-15~45℃。 

结构特点

· 板栅：采用子母板栅结构专利技术； 

· 正极板：涂膏式正极板，高温高湿4BS固化工艺； 

· 隔板：具有高吸附、高稳定性的多微孔超细玻璃纤维隔板； 

· 电池壳体：抗冲击、耐震动的高强度ABS(可选用阻燃级)； 

· 端子密封：采用多层极柱密封专有技术； 

· 安全阀：专利迷宫式双层防爆滤酸阀体结构； 

· 接线端子：采用嵌铜芯圆端子结构设计。 

核心提示：　　多晶硅薄膜太阳电池领域的研究工作已经开展了十几年，其核心是制备薄膜的方法和增大薄膜的晶粒尺寸。近年来的工作主要集中在以下方法上：气相外延与区熔再结晶相结合的方法，即：等离子体增强化学气相沉积与固相

多晶硅薄膜太阳电池领域的研究工作已经开展了十几年，其核心是制备薄膜的方法和增大薄膜的晶粒尺寸。近年来的工作主要集中在以下方法上：气相外延与区熔再结晶相结合的方法，即：等离子体增强化学气相沉积与固相晶化相结合的方法，即：PECVD+SPC+PECVD131，特别是迭层结构的电池。

使用CVD法直接在廉价衬底〔包括多晶硅条带（SSP）、导电陶瓷、带硅等〕上制备薄膜141.在这些方法中，以CVD+ZMR方法制备多晶硅薄膜太阳电池较为有效。

近年来，利用化学气相沉积（CVD）方法在高掺杂非活性单晶硅衬底上制备的薄膜电池效率已突破17%15，甚至可与单晶硅电池相匹敌。然而，在非硅衬底上制备的薄膜电池效率却很难超过10%.究其原因，主要是非硅衬底上的多晶硅薄膜晶粒小、晶向杂乱所引起。因而，增大薄膜晶粒成为关键问题。日本三菱公司采用区熔再结晶方法成功地解决了这一问题，并在薄膜太阳电池领域得以广泛的应用。

我们选用这一方法，利用自行研制的RTCVD及ZMR设备，进行了这方面的研究，制备了适于光经卤钨灯产生的光辐照加热，温度可迅速上升至1000~1200°c，样片的上表面由1支位于聚光腔内的卤钨灯灯光聚焦成的线状光束加热。增加光束强度可在样品表面产生一线状熔区。样片固定在水平放置可移动和调速的石英片上，在垂直于熔区的方向匀速移动，形成区熔再结晶的过程。熔区中心的图像经光学系统成像在CCD摄像机上，显示在监视器上。区熔效果直接与多晶硅薄膜层的厚度及拉速相关|61.其趋势为：多晶硅薄膜层越薄，拉速越慢，则缺陷密度越少。实验时选择了0.2mm/min的拉速及较薄的多晶硅薄膜层（7/m）12ZMR样品制备衬底为抛光的P型（100）重掺杂非活性单晶硅片，在其上用热氧化法制备一层Si2薄膜，再在Si2薄膜上光刻出一些窗口，用快速热化学气相沉积法（RTCVD）在Si2薄膜上沉积一层多晶硅层，用电子束蒸发法在其上制备一层2~10/%i厚的Si2薄膜，再在其上用LPCVD法制备一层几百A厚的Si3N4薄膜。Si2/Si3N4薄膜的作用在于防止区熔过程中有飞、氧化或氮化发生。为ZMR样品的X射线衍射（XRD）结果，显示了经ZMR后，多晶硅薄膜层具有了单一的（100）取向。

ZMR后多晶硅薄膜层的X射线衍射谱13多晶硅薄膜样品制备（a）和（b）分别为在SiO2上直接用RTCVD沉积的多晶硅薄膜的电镜照片和经过ZMR晶化籽晶层后再用RTCVD制备多晶硅薄膜的电镜照片。比较两者可以发现，经过ZMR工艺，晶粒明显地拉长，可达数百Pm.这些照片显示，经ZMR后，薄膜晶粒明显增加，取向一致，薄膜质量显着改善。

2结果和讨论在AM1.5太阳辐射光谱、25°C的标准测试条件下，多晶硅薄膜太阳电池的电性能参数为：21%，电池面积1.07cm2.为多晶硅薄膜太阳电池的结构。和分别给出了太阳电池的I一V曲线和光谱响应及结构。可以看出，电池在长波的响应较单晶硅稍差，这是由于薄膜厚度（20~30Pm）较单晶硅的薄而造成的；电池在短波的响应较单晶桂电池相差较多，可能与薄膜表面缺陷较Fig4Structureofpoly-Sithinfilmsolar多